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BSZ160N10NS3 G /MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ160N10NS3 G的规格信息
BSZ160N10NS3 G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:40 A

Rds On-漏源导通电阻:14 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:25 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:63 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:3.3 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.3 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:16 S

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:22 ns

典型接通延迟时间:13 ns

零件号别名:BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ16N1NS3GXT SP000482390

供应商BSZ160N10NS3 G
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深圳市安富世纪电子有限公司BSZ160N10NS3 G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553
杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司BSZ160N10NS3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司BSZ160N10NS3 G航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
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深圳市宸远科技有限公司BSZ160N10NS3 G深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B40755-23481624
19068068798,15338712396
彭先生,许娜Email:3004325620@qq.com询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司BSZ160N10NS3 G深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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深圳瀚顺芯电子科技有限公司BSZ160N10NS3 G深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567Email:1585681270@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司BSZ160N10NS3 G深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司BSZ160N10NS3 G龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司BSZ160N10NS3 G深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城BSZ160N10NS3 G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市河锋鑫科技有限公司BSZ160N10NS3 G华强北都会轩26010755-23903154
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深圳市辰芯伟业科技有限公司BSZ160N10NS3 G华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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深圳诚思涵科技有限公司BSZ160N10NS3 G深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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深圳市宇浩扬科技有限公司BSZ160N10NS3 G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市大源实业科技有限公司BSZ160N10NS3 G深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
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深圳市拓亿芯电子有限公司BSZ160N10NS3 G深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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深圳市瑞浩芯科技有限公司BSZ160N10NS3 G深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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深圳市博浩通科技有限公司BSZ160N10NS3 G华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
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BSZ160N10NS3 GMOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO488.39 Kbytes共10页BSZ160N10NS3 G的PDF下载地址
BSZ160N10NS3 G连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3.5V @ 12uA 漏源导通电阻:16mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W(Ta),63W(Tc) 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO489.75 Kbytes共10页BSZ160N10NS3 G的PDF下载地址
BSZ160N10NS3 G的全球分销商及价格
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BSZ160N10NS3 GInfineon Technologies AG5000+:¥3.59
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BSZ160N10NS3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-KANAL POWER MOS5000+:¥3.59
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Digi-Key 得捷电子
BSZ160N10NS3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-KANAL POWER MOS5000+:¥3.59
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element14 e络盟电子
BSZ160N10NS3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-KANAL POWER MOS5000+:¥3.59
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Mouser 贸泽电子
BSZ160N10NS3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-KANAL POWER MOS5000+:¥3.59
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Mouser 贸泽电子
BSZ160N10NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 31:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8817
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5,000:¥4.2601
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Rochester
BSZ160N10NS3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-KANAL POWER MOS5000+:¥3.59
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立创商城
BSZ160N10NS3 GInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3.5V @ 12uA 漏源导通电阻:16mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W(Ta),63W(Tc) 类型:N沟道1+:¥8.06
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